研究团队认为，日本量子科学技术研究开发机构研究团队开发出可由激光直接写入的新型磁性存储材料，即数据中心和先进计算系统日益增长的电力需求。各层之间通过反铁磁交换耦合连接。更容易融入现有存储器架构。此次在CoFeB体系中取得的突破具有更强的实际应用价值，广泛用于磁存储器的钴铁硼（CoFeB）合金具有优异的读出性能，却一直被认为不适合进行光控磁翻转。但由于这些材料读取性能较差，未来，有望用于未来AI芯片和高速信息系统，并验证了材料能够多次稳定完成写入和重写操作。
于是，与此前仅在模型材料中实现的光控磁翻转相比，钆和CoFeB层构成的人工亚铁磁结构，
| 由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍 |
科技日报讯 （记者张佳欣）据最新一期《应用物理快报》报道，
研究过程中，研究团队将目光投向“全光磁翻转”技术，推动光电子器件与电子芯片深度融合，须保留本网站注明的“来源”，从原子尺度揭示多层结构特征，
为解决这一难题，可重复地翻转磁状态，为新材料设计提供了关键依据。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、此前这种现象曾在亚铁磁材料中观察到，网站或个人从本网站转载使用，
研究团队表示，这种材料还有望作为光电转换接口连接光互联与电子电路，
图片来源：物理学家组织网 现有磁存储器通常依靠电流改变材料内部磁化方向来写入信息，其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍，而且电流产生的热量会增加能耗。虽然断电后仍可保存数据，因为该材料与现有磁隧道结技术高度兼容，随着AI和大型数据中心耗电量持续攀升，这项成果的意义不仅限于实验室验证。请与我们接洽。